希捷HAMR存儲(chǔ)技術(shù)挑戰(zhàn)“氦氣硬盤”

    硬盤行業(yè)正在進(jìn)行著一場(chǎng)性能對(duì)決容量的戰(zhàn)爭(zhēng)，由希捷引領(lǐng)的硬盤—閃存混合設(shè)備對(duì)陣西數(shù)—HGST的充氦氣設(shè)備。在技術(shù)介紹會(huì)上，希捷暗示可能要推出新的固態(tài)混合設(shè)備(SSHD)—這將把非易失性NAND緩存和磁片結(jié)合起來(lái)—涉及到貼片磁記錄技術(shù)(SMR)和熱輔助磁記錄技術(shù)(HAMR)。

　　HAMR聯(lián)手貼片技術(shù)對(duì)決氦氣

　　借助氦氣，HGST的硬盤將會(huì)實(shí)現(xiàn)容量的大幅度提升，當(dāng)然，前期是這項(xiàng)技術(shù)起作用。這家公司可以把更多的磁片放入到一個(gè)3.5英寸或2.5英寸的硬盤中，在 其中充入氦氣來(lái)代替正常的空氣，借此來(lái)增加容量。這是因?yàn)楹�氣的密度比空氣低，磁片所受的阻力更小，而精密的�?nèi)部機(jī)械機(jī)制會(huì)把讀寫頭移動(dòng)到磁表面，降低震 動(dòng)的影響，這樣就可以放入更多的磁片，刻錄更多的數(shù)據(jù)軌道。

　　讓我們假設(shè)這種方法可行，然后HGST就會(huì)把現(xiàn)有的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)向著充入氦氣的技術(shù)轉(zhuǎn)移，接著實(shí)現(xiàn)硬盤容量1.5倍的增長(zhǎng)，最后我們就可以有來(lái)自希捷的4TB容量第五代PMR硬盤，同時(shí)還會(huì)有來(lái)自HGST的6TB容量的第五代氦氣硬盤。

　　若希捷生產(chǎn)SMR硬盤來(lái)競(jìng)爭(zhēng)，那HGST可以做一個(gè)氦氣SMR硬盤來(lái)保持自己的容量?jī)?yōu)勢(shì)。這樣的話，希捷可以借助HAMR來(lái)實(shí)現(xiàn)磁道密度的提升，憑此帶來(lái)的 硬盤工作效率的提升來(lái)對(duì)抗HGST氦氣硬盤的大容量。希捷還會(huì)混合化它的硬盤產(chǎn)品，以它們的讀取性能優(yōu)勢(shì)來(lái)對(duì)抗競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

　　除非HGST能和希捷一樣在同樣的時(shí)間范圍內(nèi)推出HAMR硬盤，否則和希捷相比，它的氦氣硬盤的容量?jī)?yōu)勢(shì)可能會(huì)變得沒有優(yōu)勢(shì)。

　　一旦HGST推出使用HAMR技術(shù)的產(chǎn)品，氦氣HAMR硬盤將會(huì)大大提高HGST的容量?jī)?yōu)勢(shì)。我們相信希捷也正在研究氦氣硬盤技術(shù)，它以前拒絕過這項(xiàng)技術(shù)，不過現(xiàn)在看來(lái)，這項(xiàng)技術(shù)將成為擊敗HGST容量?jī)?yōu)勢(shì)的重要因素。

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