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揭秘硅片蝕刻中的關(guān)鍵氣體


揭秘硅片蝕刻中的關(guān)鍵氣體  
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蝕刻是通過化學(xué)和物理方法有選擇地從硅片表面去除不必要的材料的過程。蝕刻
的目的是正確復(fù)制硅片上的掩膜圖形。蝕刻分為濕蝕刻和干蝕刻。濕蝕刻是利用
液體化學(xué)試劑或溶液通過化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行蝕刻。干蝕刻利用低壓放電產(chǎn)生的等離子
體中的離子或游離基與材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，或通過轟擊等物理作用達(dá)到蝕刻的目
的。主要介質(zhì)是氣體。干蝕刻的優(yōu)點(diǎn)是各向異性（即垂直方向的蝕刻速率遠(yuǎn)大于
水平速率）明顯，特點(diǎn)尺寸控制良好，化學(xué)品處理成本低，蝕刻速率高，均勻性
好，良率高。常用的干蝕刻是等離子體蝕刻。

硅片的蝕刻氣體(特殊氣體)主要是氟基氣體，包括四氟化碳、四氟化碳/氧氣、六
氟化硫、六氟乙烷/氧氣、三氟化氮等。但由于各向同性和選擇性差，改進(jìn)后的蝕
刻氣體通常包括氯基(Cl2)和溴基(Br2)、HBr)氣體。反應(yīng)生成物包括四氟化硅、四
氯硅烷和SiBr4。氯基氣體通常用于蝕刻鋁和金屬復(fù)合層，如CCl4、Cl2、BCL3等。
產(chǎn)品主要包括AlCL3等。

蝕刻氣體工業(yè)術(shù)語，蝕刻是將氧化硅膜、金屬膜等無光刻膠覆蓋的加工表面蝕刻掉，
保存光刻膠覆蓋面積，從而在基板表面獲得所需的成像圖形。蝕刻的基本要求是圖
形邊緣整齊，線條清晰，圖形變換差小，光刻膜及其覆蓋保護(hù)表面無損傷和鉆孔腐
蝕。蝕刻方法包括濕法化學(xué)蝕刻和干法化學(xué)蝕刻。干法蝕刻所用氣體稱為蝕刻氣體，
通常為氟化物氣體，如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。
由于蝕刻方向性強(qiáng)、工藝控制準(zhǔn)確、方便、無脫膠、無基板損傷和污染，干法蝕刻
的應(yīng)用范圍越來越廣。

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