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掌握半導(dǎo)體氣體純度標準


掌握半導(dǎo)體氣體純度標準  
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半導(dǎo)體工藝氣體等級劃分主要基于氣體純度等指標，具體標準如下：
1、大宗氣體：
純度要求：純度在 3n 及以上（1n 表示純度百分比 9 的個數(shù)，3n 即純度達到
99.9% 上述)，氣體中雜質(zhì)含量相對較高。
應(yīng)用領(lǐng)域：常用于一般半導(dǎo)體設(shè)備的生產(chǎn)環(huán)節(jié)，如輔助氣體作為一些非關(guān)鍵工
藝步驟或提供一般氣體環(huán)境。
2、高純氣體：
純度要求：達到純度 5n 及以上（即 99.999% 以上)，氣體中雜質(zhì)含量的控制
更加嚴格，金屬元素等雜質(zhì)需要凈化到較低的濃度水平。
應(yīng)用領(lǐng)域：適用于大型集成電路的制造，應(yīng)用于一些對氣體純度要求較高的工
藝環(huán)節(jié)。例如，在半導(dǎo)體材料的沉積和延伸過程中，高純氣體可以保證工藝的
穩(wěn)定性和產(chǎn)品質(zhì)量。
3、電子氣體(電子特氣)：
純度要求：一般要求滿足要求 6n 及以上（即 99.9999% 以上)，一些先進的工
藝甚至需要更高的純度，可能達到 ppb（10⁻⁹）甚至 ppt（10⁻12）級別。
應(yīng)用領(lǐng)域:是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵工藝氣體，廣泛應(yīng)用于光刻、刻蝕、摻雜、氣
相沉積、擴散等各種半導(dǎo)體工藝流程的核心工藝環(huán)節(jié)。例如，在刻蝕過程中，
氟基氣體(如 CF₄、SF₆、C₂F₆、NF₃等）、氯基氣體（Cl₂）和溴基氣體（Br₂
、HBr）用于有選擇地去除硅片表面不必要的材料。
簡而言之，半導(dǎo)體工藝氣體的等級劃分對半導(dǎo)體制造的質(zhì)量和性能至關(guān)重要，
不同等級的氣體在半導(dǎo)體生產(chǎn)的不同環(huán)節(jié)中起著特定的作用。隨著半導(dǎo)體技術(shù)
的不斷發(fā)展，工藝氣體的純度和質(zhì)量要求也在不斷提高。
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